结构与规格
采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术，通过高频微波激发反应气体形成高密度等离子体，在基片表面实现金刚石的高质量外延生长。
可加工基片尺寸：
Φ60 mm
Φ80 mm
设备腔体采用石英或高纯氧化铝窗口设计，确保微波透过率与等离子体稳定性，配备精密温控平台，实现 700–1200 ℃ 的基片加热范围。
靶材与工艺配置
工艺原理：利用微波激发甲烷（CH₄）与氢气（H₂）混合气体形成等离子体，使碳原子沉积并结晶为金刚石。
可制备产品：单晶金刚石、金刚石薄膜、金刚石镜片及培育钻石。
厚度控制：生长速率可在 0.5–20 μm/h 调节，膜层厚度可根据需求精确控制。
掺杂功能：可引入硼（B）、氮（N）等元素实现半导体级金刚石功能化。
真空与控制系统
配备高真空腔体（极限真空 ≤ 1×10⁻³ Pa），高纯气体质量流量控制器（MFC）确保气体比例精确可控。采用自动化控制系统实现对微波功率、反应气体比例、基片温度及生长时间的全程监控与记录，并可进行工艺程序存储与重复调用。
适用范围
广泛应用于：
工业级金刚石生产（刀具级、热管理材料）
宝石级培育钻石制造（饰品用钻石）
光学与激光用金刚石镜片（高功率激光窗口片、红外光学元件）
半导体级金刚石衬底制备（高功率电子器件用）
