结构与规格
采用高频电源驱动的化学气相沉积（CVD）工艺，可在加热基片表面沉积高质量碳化硅薄膜或生长 SiC 晶体。反应腔体为高温耐腐蚀石英或石墨材料，内置精密加热平台，最高工作温度可达 1600 ℃。
可加工尺寸：
Φ60 mm
Φ80 mm
Φ100 mm
Φ120 mm
靶材与工艺配置
工艺原理：通过引入含碳气体（CH₄、C₃H₈）与含硅气体（SiH₄、SiCl₄），在高温和高频电磁场作用下发生化学反应，在基片表面形成碳化硅（SiC）晶体。
加热系统：电感耦合加热或石墨加热板，温度均匀性 ≤ ±3 ℃。
可制备类型：单晶 SiC 衬底、多晶 SiC 薄膜、光学级 SiC 镜片。
生长速率：可调范围 0.2–5 μm/h，支持长时间稳定沉积。
真空与控制系统
配备机械泵+罗茨泵真空机组，工作压力可控制在 10–10³ Pa。气体系统使用质量流量控制器（MFC）实现精确配比，PLC 全自动化控制可对气体流量、基片温度、反应压力和生长时间进行全程监控与记录，并支持工艺程序存储。
适用范围
芯片制造用 SiC 衬底
集成电路（IC）功率器件用基板
高功率激光反射镜、红外窗口片
航空航天及军工光学系统的耐高温光学元件
